| 校內編號 | 專利名稱 | 發明人 | 國家/申請號 | 專利摘要 |
| TTC-0888 | 光定址電位感測元件 | 賴朝松,楊家銘,陳軍暉,陳琮誠 | 中國大陸 CN106896144B (3700660) | 本發明提供了一種光定址電位感測元件，包含一導電基板、一金屬氧化半導體層以及一感測層，其中該金屬氧化半導體層之材料為氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鎵(IGO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦錫鋅(ITZO)、氧化錫(SnO2)或氧化鋅(ZnO)，透過金屬氧化半導體層具有寬能帶之特性，使得該光定址電位感測元件不受可見光之干擾，大幅提升了光定址電位感測元件之穩定性。 |
