長庚大學第23期產學電子報

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國科會計畫成果-可讓與專利公告(公告日期2024年6月20日)

 

校內編號	專利名稱	發明人	國家/申請號	專利摘要
TTC-0888	光定址電位感測元件	賴朝松,楊家銘,陳軍暉,陳琮誠	中國大陸 CN106896144B (3700660)	本發明提供了一種光定址電位感測元件，包含一導電基板、一金屬氧化半導體層以及一感測層，其中該金屬氧化半導體層之材料為氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鎵(IGO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦錫鋅(ITZO)、氧化錫(SnO2)或氧化鋅(ZnO)，透過金屬氧化半導體層具有寬能帶之特性，使得該光定址電位感測元件不受可見光之干擾，大幅提升了光定址電位感測元件之穩定性。